D램·낸드 생산 인프라 동시 확충 기대 SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대에 지속 성장하는 메모리 수요에 대응하기 위해 용인과 청주에 신규 팹(Fab)을 건설하기로 했다. SK하이닉스는 7일 이사회 결의를 거쳐 용인 ‘Y2’와 청주 ‘M17’ 팹 건설에 각각 35조2000억원, 19조1000억원 등 약 54조 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 이번 결정은 회사가 지난 6월 밝힌 중장기 투자 전략을 단계적으로 이행하는 과정의 일환이다. 회사는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획 아래 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이며, 이번 투자 결정을 통해 용인과 청주에서 후속 팹 건설에 나선다. SK하이닉스는 “AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않으며 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력”이라며 “면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다”고 설명했다. 용인 Y2는 회사가 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 조성하는 총 4기의 팹 중 두 번째 팹으로, 연면적 34만1000평 규모의 D램 생산 거점으로 구축된다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 오픈할 계획이며, 고대역폭메모리(HBM)을 비롯한 차세대 D램을 생산한다. Y1은 내년 2월 첫 클린룸 오픈을 목표로 공사가 순조롭게 진행되고 있다. 경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만평 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터는 Y2 가동까지 필요한 1단계 전력∙용수 인프라 구축이 99%의 공정률로 마무리 단계에 접어들었다. 회사는 팹 건설과 인프라 조성을 병행해 온 만큼, Y2도 계획된 일정에 맞춰 차질 없이 건설한다는 방침이다. 회사는 이번 투자가 미래 성장 기반을 확보하는 동시에, 국내 반도체 생태계 경쟁력 제고와 지역경제 활성화로 이어질 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스 관계자는 “이번 투자는 시장의 성장 속도에 맞춰 그 기회를 놓치지 않기 위한 결정”이라며 “선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 AI 인프라의 핵심 파트너로 자리매김하겠다”고 말했다.