HBM이 후공정 캐파 차지하며 범용 패키징·테스트 외주화 4분기부터 소재·부품·테스트로 증설 수혜 확산 SFA반도체·에이팩트·디아이·와이씨 등 후공정주 주목 HBM(고대역폭메모리)에 집중됐던 반도체 투자 사이클이 범용 D램과 낸드플래시 증설로 확대되면서 후공정 소재·부품·장비 업체까지 수혜가 번질 것이라는 전망이 나왔다. 기존 생산능력을 HBM이나 선단 공정으로 전환하는 데 집중됐던 직전 사이클과 달리 앞으로는 실제 웨이퍼 투입량과 생산량 자체가 늘어나는 증설의 시대에 진입한다는 분석이다. 하나증권은 2일 보고서에서 반도체 소재·부품·장비 업종에 대해 ‘비중확대(Overweight)’ 의견을 제시했다. 삼성전자 평택 P4와 SK하이닉스 청주 M15X의 생산능력 확대가 진행되는 가운데 용인 Y1 장비 발주와 평택 P5 장비 공급사 선정 등 후속 투자 일정도 구체화되고 있다고 진단했다. 산업 자료 기준 D램 웨이퍼 투입량은 올해 8.5%, 내년 5.8% 증가해 2025년 대비 2027년까지 15% 가까이 늘어날 것으로 전망됐다. NAND 역시 올해 바닥권을 지나 내년 증가세로 돌아설 것으로 예상됐다. 하나증권은 “이번 사이클의 핵심은 캐펙스 증가 자체보다 실제 웨이퍼 투입과 생산량이 함께 늘어난다는 점”이라고 설명했다. D램 공급 부족도 증설을 뒷받침할 것으로 봤다. D램 공급충족률은 올해 내내 마이너스를 이어간 뒤 2027년 들어 공급 부족이 다시 심화돼 연말에는 -5.7%까지 떨어질 것으로 예상됐다. 특히 서버향 D램은 내년 하반기 공급 부족률이 -9.8%까지 확대될 전망이다. 반면 NAND는 올해 4분기 수급 균형을 거쳐 내년에는 연간 약 5% 수준의 공급 과잉으로 전환될 것으로 내다봤다. 이번 보고서가 특히 주목한 영역은 후공정이다. SK하이닉스는 P&T7에 19조원을 투자하고 있으며 삼성전자도 천안·온양을 중심으로 HBM과 첨단 패키징 후공정 생산능력을 확대하고 있다. 동시에 삼성전자는 베트남에서 범용 D램·NAND 패키징·테스트 기능을 확충하고 있다. HBM 확대가 기존 후공정 생산능력을 차지하면서 범용 메모리의 패키징·테스트 물량이 외부 업체로 넘어가는 흐름도 나타나고 있다. 하나증권은 삼성전자가 서버용 DDR5를 포함한 범용 메모리 테스트 일부를 외주로 전환하기 시작한 것으로 분석했다. 한번 외부로 넘어간 물량은 생산능력 확보와 고객사 인증이 필요한 만큼 일정 기간 유지될 가능성이 높다고 봤다. 수혜는 올해 4분기부터 더욱 확산될 것으로 전망했다. 기존 증설 라인의 생산량 증가와 신규 팹의 웨이퍼 투입이 겹치면서 수혜 범위가 장비에서 소재·부품과 테스트 업체로 넓어진다는 것이다. 장비 업체가 투자와 발주에 먼저 반응한다면 소재·부품과 테스트 업체는 실제 웨이퍼 투입과 생산량 증가의 영향을 직접 받는다. 후공정 관련 업체 가운데서는 테스트 장비의 디아이·유니테스트·네오셈·와이씨, 테스트 부품의 ISC·티에프이, 패키징 소재의 덕산하이메탈, OSAT(반도체 후공정 전문업체)의 에이팩트·SFA반도체, 패키징 장비의 에스티아이·이오테크닉스 등을 주목했다. 검사·계측 분야에서는 넥스틴·펨트론·인텍플러스·고영을 관심 종목으로 제시했다. 하나증권은 특히 범용 메모리 외주화와 웨이퍼 투입 증가가 후공정 업체들의 실적에 직접 연결될 것으로 전망했다. 에이팩트는 SK하이닉스 증설 과정에서 발생하는 초과 물량의 외주 위탁, SFA반도체는 삼성전자의 범용 후공정 외주화 수혜가 예상된다고 분석했다. 디아이와 와이씨 등 테스트 장비 업체 역시 서버용 DDR5·HBM 테스트 확대와 웨이퍼 투입량 증가의 수혜를 받을 것으로 내다봤다.