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"티씨케이, SiC 포커스링 세계 1위…中 반도체 부상도 기회"-IBK

한국경제-증권 · 2026-09-03 09:00 · #반도체

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AI 추천 뉴스 "티씨케이, SiC 포커스링 세계 1위…中 반도체 부상도 기회"-IBK IBK투자증권은 3일 티씨케이에 대해 "고대역폭메모리(HBM)의 고단화와 중국 반도체 산업의 부상이 티씨케이에 기회"라고 말했다. 투자의견 '매수'와 목표주가 28만5000원을 제시했다. 이 증권사 이건재 연구원은 "낸드플래시는 적층 단수가 높아질수록 식각 공정의 횟수가 증가하고 난도 역시 높아져 그 과정에서 소모되는 실리콘 카바이드 소재의 소모성 링 부품인 'SiC 포커스링' 사용량도 함께 증가한다"며 "현재 낸드 시장은 8세대(236단)에서 9세대(286단)로 전환하는 국면에 진입했고, 장기적으로는 1000단 로드맵이 제시돼 있어 티씨케이의 SiC 수요는 크게 증가할 것"이라고 분석했다. 이어 "구조적 성장은 이미 실적과 수주로 확인되고 있다"며 "티씨케이의 상반기 매출은 1903억원으로 전년 동기 대비 26% 증가했고 SiC 수주잔고 역시 올해 1분기 819억 원에서 2분기 1763억 원으로 한 분기 만에 115% 급증했다"고 덧붙였다. 티씨케이의 SiC 포커스링은 반도체 식각 공정에서 웨이퍼 가장자리를 둘러싸는 도넛 모양의 소모성 부품이다. 플라즈마가 웨이퍼에 균일하게 닿도록 돕고 웨이퍼 가장자리를 보호해 식각 품질과 수율을 높이는 역할을 한다. 고온·고플라즈마 환경에서 지속적으로 마모되기 때문에 반도체 생산이 이어지는 한 주기적인 교체 수요가 발생하는 핵심 부품이다. 티씨케이의 신규 성장 동력으로는 HBM 고단화를 꼽았다. 이 연구원은 "HBM은 다수의 D램을 수직으로 쌓아 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는데, 적층 단수가 12단, 16단으로 높아질수록 홀을 뚫는 TSV 식각 공정 난도가 심화된다"며 "공정 환경이 가혹해지면 사용되는 포커스링의 소재도 기존 쿼츠(석영)에서 고온·플라즈마 내성이 우수한 SiC로 전환될 것"이라고 예상했다. 그러면서 "D램 영역에서는 SiC 포커스링 침투가 낸드 대비 제한적이었으나 HBM4를 기점으로 티씨케이의 전방 시장이 HBM까지 확장될 가능성이 논의 되고 있다"고 부연했다. IBK증권은 중국 반도체 산업 부상도 티씨케이에 기회라고 짚었다. 이 연구원은 "티씨케이는 글로벌 1위의 SiC 포커스링 기업으로 램리서치, 도쿄일렉트론, 세메스, 중국 AMEC 등 글로벌 장비 기업들을 핵심 고객으로 두고 있다"며 "티씨케이의 주요 고객은 주로 미국, 일본, 한국 기업이었지만 AMEC 이후 중국 기업들과의 공급계약이 확대되는 추세"라고 짚었다. 아울러 "중국 반도체 시장의 성장이 티씨케이의 고객기반 확장으로 이어져 중장기 실적 성장에 긍정적으로 기여할 것"이라고 판단했다. 강경주 한경닷컴 기자 [email protected] 이 증권사 이건재 연구원은 "낸드플래시는 적층 단수가 높아질수록 식각 공정의 횟수가 증가하고 난도 역시 높아져 그 과정에서 소모되는 실리콘 카바이드 소재의 소모성 링 부품인 'SiC 포커스링' 사용량도 함께 증가한다"며 "현재 낸드 시장은 8세대(236단)에서 9세대(286단)로 전환하는 국면에 진입했고, 장기적으로는 1000단 로드맵이 제시돼 있어 티씨케이의 SiC 수요는 크게 증가할 것"이라고 분석했다. 이어 "구조적 성장은 이미 실적과 수주로 확인되고 있다"며 "티씨케이의 상반기 매출은 1903억원으로 전년 동기 대비 26% 증가했고 SiC 수주잔고 역시 올해 1분기 819억 원에서 2분기 1763억 원으로 한 분기 만에 115% 급증했다"고 덧붙였다. 티씨케이의 SiC 포커스링은 반도체 식각 공정에서 웨이퍼 가장자리를 둘러싸는 도넛 모양의 소모성 부품이다. 플라즈마가 웨이퍼에 균일하게 닿도록 돕고 웨이퍼 가장자리를 보호해 식각 품질과 수율을 높이는 역할을 한다. 고온·고플라즈마 환경에서 지속적으로 마모되기 때문에 반도체 생산이 이어지는 한 주기적인 교체 수요가 발생하는 핵심 부품이다. 티씨케이의 신규 성장 동력으로는 HBM 고단화를 꼽았다. 이 연구원은 "HBM은 다수의 D램을 수직으로 쌓아 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는데, 적층 단수가 12단, 16단으로 높아질수록 홀을 뚫는 TSV 식각 공정 난도가 심화된다"며 "공정 환경이 가혹해지면 사용되는 포커스링의 소재도 기존 쿼츠(석영)에서 고온·플라즈마 내성이 우수한 SiC로 전환될 것"이라고 예상했다. 그러면서 "D램 영역에서는 SiC 포커스링 침투가 낸드 대비 제한적이었으나 HBM4를 기점으로 티씨케이의 전방 시장이 HBM까지 확장될 가능성이 논의 되고 있다"고 부연했다. IBK증권은 중국 반도체 산업 부상도 티씨케이에 기회라고 짚었다. 이 연구원은 "티씨케이는 글로벌 1위의 SiC 포커스링 기업으로 램리서치, 도쿄일렉트론, 세메스, 중국 AMEC 등 글로벌 장비 기업들을 핵심 고객으로 두고 있다"며 "티씨케이의 주요 고객은 주로 미국, 일본, 한국 기업이었지만 AMEC 이후 중국 기업들과의 공급계약이 확대되는 추세"라고 짚었다. 아울러 "중국 반도체 시장의 성장이 티씨케이의 고객기반 확장으로 이어져 중장기 실적 성장에 긍정적으로 기여할 것"이라고 판단했다. 강경주 한경닷컴 기자 [email protected]